Microlithographie a faisceaux d'ions oxygene

Oxygen ion-beam microlithography

Abstract

Un procédé d'application et de développement d'une réserve sur un substrat (12) pour fabriquer des puces de circuits intégrés comprend les processus de dépôt d'une pellicule mince de silicium amorphe ou de silicium amorphe hydrogéné (13) sur le substrat (12) et l'exposition de parties du silicium amorphe à des faisceaux d'ions oxygène à basse énergie (14) pour oxyder le silicium amorphe sur ces parties sélectionnées. Les parties non oxydées sont alors éliminées par attaque à l'aide d'un plasma hydrogéné excité à haute fréquence. Les composants de la puce de circuit intégré (16) peuvent alors être créés à travers les parties éliminées de la réserve (17). Le processus tout entier peut se dérouler dans un système de production sous vide en série possédant plusieurs chambres sous vide. Des faisceaux d'ions carbone ou azote peuvent également s'utiliser.
A method of providing and developing a resist on a substrate (12) for constructing integrated circuits IC chips includes the steps depositing a thin film of amorphous silicon or hydrogenated amorphous silicon (13) on the substrate (12) and exposing portions of the amorphous silicon to low energy oxygen ion beams (14) to oxidize the amorphous silicon at those selected portions. The non-oxidized portions are then removed by etching with RF-excited hydrogen plasma. Components of the IC chip (16) can then be constructed through the removed portions of the resist (17). The entire process can be performed in an in-line vacuum production system having several vacuum chambers. Nitrogen or carbon ion beams can also be used.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-4383026-AMay 10, 1983Bell Telephone Laboratories, IncorporatedAccelerated particle lithographic processing and articles so produced
    US-4601778-AJuly 22, 1986Motorola, Inc.Maskless etching of polysilicon
    US-4960675-AOctober 02, 1990Midwest Research InstituteHydrogen ion microlithography

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (5)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    EP-0686999-A3August 20, 1997Texas Instruments IncPattern formation in the fabrication of microelectronic devices
    US-7049052-B2May 23, 2006Lam Research CorporationMethod providing an improved bi-layer photoresist pattern
    US-9136794-B2September 15, 2015Research Triangle Institute, InternationalBipolar microelectronic device
    WO-2004102277-A2November 25, 2004Lam Research CorporationMethod providing an improved bi-layer photoresist pattern
    WO-2004102277-A3December 29, 2004Lam Res Corp, Hanzhong Xiao, Helen H Zhu, Kuo-Lung Tang, S M Reza SadjadiProcede pour produire un motif de photoresine bi-couche amelioree